L’IBM stando a quanto scrive il Wall Street Journal, sta lavorando a un nuovo circuito elettrico che potrebbe triplicare la quantità di dati archiviati su un microprocessore standard.

La nuova tecnologia sarebbe un’evoluzione della Dram (dynamic random access memory), generalmente utilizzata nei personal computer come memoria temporanea, e verrà probabilmente battezzata «eDram» (embedded dynamic random access memory).

Il nuovo circuito potrebbe così raddoppiare le prestazioni dei computer, riducendo i tempi di immagazzinamento dei dati a meno di 2 nanosecondi, cioè una velocità dieci volte superiore rispetto a quella offerta dalle memorie Dram tradizionali.

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